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Trabalho de evento
Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom) (1997)
Massi, Marcos; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MASSI, Marcos et al. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Massi, M., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Verdonck, P. B. (1997). Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristics of silicon etching processes in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom) (1997)
Hoashi, P T; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Processo de deposição por PECVD: influência dos íons (1997)
Cardoso, A R; Silva, Maria Lucia Pereira da
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARDOSO, A R e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Cardoso, A. R., & Silva, M. L. P. da. (1997). Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
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Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
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MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom) (1997)
Prager, O C; Perez Lisboa, Maurício Oscar; Hidalgo, A R; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PRAGER, O C et al. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Prager, O. C., Perez Lisboa, M. O., Hidalgo, A. R., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
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Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Cardoso, A R
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da e CARDOSO, A R. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Silva, M. L. P. da, & Cardoso, A. R. (1997). Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom) (1997)
Galeazzo, Elisabete ; Beltran, A.; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete e BELTRAN, A. e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Galeazzo, E., Beltran, A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Galeazzo E, Beltran A, Ramírez Fernandez FJ. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Galeazzo E, Beltran A, Ramírez Fernandez FJ. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom) (1997)
Nakazawa, A M; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
NAKAZAWA, A M e VERDONCK, Patrick Bernard. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Nakazawa, A. M., & Verdonck, P. B. (1997). Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nakazawa AM, Verdonck PB. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Nakazawa AM, Verdonck PB. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom) (1997)
Oka, Mauricio Massazumi; Nakada, A; Tamai, Y; Shibata, T; Ohmi, T
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OKA, Mauricio Massazumi et al. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Oka, M. M., Nakada, A., Tamai, Y., Shibata, T., & Ohmi, T. (1997). Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM) (1997)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Rubim, Joel Camargo ; Matz, M
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidades: EP, IQ
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes et al. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., Rubim, J. C., & Matz, M. (1997). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom) (1997)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Morimoto, Nilton Itiro
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
Verri, Antônio Sandro; Correra, Fatima Salete
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom) (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom) (1997)
Amazonas, José Roberto de Almeida ; Strum, Marius; Vale Neto, José Vieira do; Wang, Jiang Chau ; Rouzeyre, B; Flottes, M L
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida et al. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Amazonas, J. R. de A., Strum, M., Vale Neto, J. V. do, Wang, J. C., Rouzeyre, B., & Flottes, M. L. (1997). Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Amazonas JR de A, Strum M, Vale Neto JV do, Wang JC, Rouzeyre B, Flottes ML. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Amazonas JR de A, Strum M, Vale Neto JV do, Wang JC, Rouzeyre B, Flottes ML. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Vapour identification using sensor array. (CD-Rom) (1997)
Baratto, G; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARATTO, G e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Vapour identification using sensor array. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Baratto, G., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Vapour identification using sensor array. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Vapour identification using sensor array. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Baratto G, Ramírez Fernandez FJ. Vapour identification using sensor array. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom) (1997)
Bertini, J; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERTINI, J e MARTINO, João Antonio. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Bertini, J., & Martino, J. A. (1997). Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740. (em CD-Rom) (1997)
Caldas, Gílson Tavares; González Rodríguez, Jaime; Furlan, Rogério
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Gílson Tavares e GONZÁLEZ RODRÍGUEZ, Jaime e FURLAN, Rogério. Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Caldas, G. T., González Rodríguez, J., & Furlan, R. (1997). Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Caldas GT, González Rodríguez J, Furlan R. Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Caldas GT, González Rodríguez J, Furlan R. Study of anodic bonding between silicon and Pyrex 7740. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Trabalho de evento
Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom) (1997)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2026.
APA
Hashimoto, A. I., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]
Vancouver
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 abr. 27 ]

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