Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom) (1997)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: SBMICRO/EFEI
- Local: Itajubá
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BERTINI, J e MARTINO, João Antonio. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 ago. 2024. -
APA
Bertini, J., & Martino, J. A. (1997). Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ] -
Vancouver
Bertini J, Martino JA. Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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