Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidades: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Cetepe
- Place of publication: Sao Carlos
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Anais Cicte-94
- Conference title: Congresso de Iniciacao Cientifica e Tecnologica em Engenharia
-
ABNT
BELLODI, M; MARTINO, João Antonio. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais.. Sao Carlos: Cetepe, 1994. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1994). Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. In Anais Cicte-94. Sao Carlos: Cetepe. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais Cicte-94. 1994 ; -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais Cicte-94. 1994 ; - Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton
- Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes
- Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX
- Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities
- Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices
- Extraction of the silicon film trickness on fully depleted SOI nMOSFETs using the back gate voltage influence
- Sistema endereçável de detecção e controle. (também em CD-Rom)
- Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
- A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
- A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
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