Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidades: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Cetepe
- Place of publication: Sao Carlos
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Anais Cicte-94
- Conference title: Congresso de Iniciacao Cientifica e Tecnologica em Engenharia
-
ABNT
BELLODI, M; MARTINO, João Antonio. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais.. Sao Carlos: Cetepe, 1994. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1994). Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. In Anais Cicte-94. Sao Carlos: Cetepe. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais Cicte-94. 1994 ; -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets. Anais Cicte-94. 1994 ; - Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton
- Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices
- Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
- A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
- A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
- A physically-based continuous model for graded-channel SOI MOSFET
- Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
