Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura (2008)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2008
- Source:
- Título: 16 SIICUSP: anais.
- Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
SANDRI, Marcelo e GALETI, Milene. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 2008, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2008. . Acesso em: 06 fev. 2026. -
APA
Sandri, M., & Galeti, M. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. In 16 SIICUSP: anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo. -
NLM
Sandri M, Galeti M. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2026 fev. 06 ] -
Vancouver
Sandri M, Galeti M. Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2026 fev. 06 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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