The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures (2012)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/ULIS.2012.6193372
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2012
- Source:
- Título: Proceedings of the conference
- Conference titles: International Conference on Ultimate Integration on Silicon
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
NICOLETTI, Talitha et al. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures. 2012, Anais.. Piscataway: IEEE, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372. Acesso em: 06 fev. 2026. -
APA
Nicoletti, T., Martino, J. A., Santos, S., Almeida, L., Aoulaiche, M., Veloso, A., et al. (2012). The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures. In Proceedings of the conference. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/ULIS.2012.6193372 -
NLM
Nicoletti T, Martino JA, Santos S, Almeida L, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak MJ, Simoen E, Claeys C. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2026 fev. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372 -
Vancouver
Nicoletti T, Martino JA, Santos S, Almeida L, Aoulaiche M, Veloso A, Jurczak MJ, Simoen E, Claeys C. The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures [Internet]. Proceedings of the conference. 2012 ;[citado 2026 fev. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ULIS.2012.6193372 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.1109/ULIS.2012.6193372 (Fonte: oaDOI API)
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