Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet (1994)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
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ABNT
SONNENBERG, Victor; MARTINO, João Antonio. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1994). Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. Anais. 1994 ; -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. Anais. 1994 ; - Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets
- Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET
- A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
- Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
- Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices
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