Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs (2010)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v5i2.322
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- ISSN: 1807-1953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.5, n.2, p. 154-159, 2010
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 154-159, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322. Acesso em: 06 fev. 2026. -
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 154-159. doi:10.29292/jics.v5i2.322 -
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2026 fev. 06 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322 -
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 154-159.[citado 2026 fev. 06 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v5i2.322 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v5i2.322 (Fonte: oaDOI API)
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