Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k (1995)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Informatica da Ufrgs
- Publisher place: Porto Alegre
- Date published: 1995
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 07 nov. 2025. -
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1995). Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs. -
NLM
Pavanello MA, Martino JA. Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 07 ] -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k. Proceedings. 1995 ;[citado 2025 nov. 07 ] - Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
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