Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024. -
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ] -
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ] - Nariz eletrônico
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