Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
- Autores:
- Autores USP: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: SBMICRO/EFEI
- Local: Itajubá
- Data de publicação: 1997
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Obtencao do perfil de impurezas utilizando a tecnica de resistencia de espraiamento
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