Caracterizacao de camadas implantadas de hidrogenio em silicio (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: PERES, HENRIQUE ESTANISLAU MALDONADO - EP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Workshop Paranaense de Microeletronica
-
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterizacao de camadas implantadas de hidrogenio em silicio. 1994, Anais.. Curitiba: Rhae/Cnpq, 1994. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1994). Caracterizacao de camadas implantadas de hidrogenio em silicio. In Anais. Curitiba: Rhae/Cnpq. -
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterizacao de camadas implantadas de hidrogenio em silicio. Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterizacao de camadas implantadas de hidrogenio em silicio. Anais. 1994 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Camada de alta resistividade no silicio obtida por implantacao de protons com baixa energia
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