Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- USP affiliated authors: VERRI, ANTONIO SANDRO - EP ; FATIMA SALETE CORRERA - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 03 nov. 2024. -
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ] -
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ] - Substituição de transistores msc por transistores thomson em amplificadores de potência: 6 ghz
- Amplificador de potencia 4w - banda l
- Amplificadores de potência em microondas com alta eficiência
- Gallium arsenide integrated circuits development at telebras
- Amplificador de potencia de 1 w de banda larga
- Amplificador monolítico banda larga - 20 GHz
- Oscilador de microondas banda larga em tecnologia MMIC GaAs MESFET
- Oscilador controlado por tensao miniaturizado banda L
- 2488 gb / s 'GA''AS' 1: 4/1:15 demultiplexer ic with skip circuit for sonet sts-12/48 systems
- Dimensionamento de unidades remotas de sistemas VSAT
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas