Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- Autor USP: OKA, MAURICIO MASSAZUMI - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
OKA, Mauricio Massazumi et al. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Oka, M. M., Nakada, A., Tamai, Y., Shibata, T., & Ohmi, T. (1997). Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Estudo do crescimento lateral de silicetos e formação do siliceto de cobalto sobre silício altamente dopado
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