Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado (1991)
- Authors:
- Autor USP: OKA, MAURICIO MASSAZUMI - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foram abordados dois aspectos dos silicetos: o crescimento lateral e a formacao do siliceto sobre substrato altamente dopado. O estudo do crescimento lateral do siliceto de 'TI' indica a necessidade da formacao em duas etapas, intermediadas por uma remocao seletiva do 'TI' nao reagido, sendo a temperatura da primeira etapa de, no maximo, 600'GRAUS'c, para evitar o crescimento lateral. Com o siliceto de 'CO' observamos um crescimento lateral comparavel ao do siliceto de 'TI', ao contrario do esperado. Sugerimos a sua formacao em duas etapas, de forma similar ao caso do siliceto de 'TI'. Observamos que os dopantes presentes no substrato de 'SI' afetam a cinetica de formacao de siliceto. O 'AS' parece atrasar a formacao do siliceto enquanto que o bf2 parece adianta-la. A analise rbs mostra ainda que usando uma unica etapa de sinterizacao, de 600'GRAUS'c/60s ou de 700'GRAUS'/30s, fomos bem sucedidos em obter uma juncao rasa, com concentracao de pico de 'AS' superior a '1.10 POT.19' at/'CENTIMETROS CUBICOS' sob o siliceto
- Imprenta:
- Data da defesa: 07.11.1991
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ABNT
OKA, Mauricio Massazumi. Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado. 1991. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Oka, M. M. (1991). Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Oka MM. Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado. 1991 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Oka MM. Estudo do crescimento lateral de silicetos e formacao do siliceto de cobalto sobre silicio altamente dopado. 1991 ;[citado 2024 set. 19 ] - Six sigma method applied for reflow soldering process in SMT (surface Mount Technology)
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