Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 mar. 29 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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