Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 mar. 17 ] -
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI-MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 mar. 17 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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