Processo de deposição por PECVD: influência dos íons (1997)
- Authors:
- Autor USP: SILVA, MARIA LUCIA PEREIRA DA - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
CARDOSO, A R e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Cardoso, A. R., & Silva, M. L. P. da. (1997). Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd
- Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos
- Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom)
- Quimica ionica de tetraetilortossilicato, tetrametilortossilicato e trimetilborato em fase gasosa e sua relevancia em microeletronica
- Corrosao de 'SI''O IND.2' por plasma de c'F IND.4': estudo espectroscopico
- Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos
- Sistema Sn/Pb: impacto ambiental pelo uso de solda
- Estudo da corrosao de 'SI''O POT.2'/'SI' em plasma de cf4 por espectrometria de massa e interferometria
- Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana
- Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
