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Trabalho de evento
Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom) (1997)
Saito, Megumi; Torres, A; Valle, Márcio Almeida
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SAITO, Megumi e TORRES, A e VALLE, Márcio Almeida. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Saito, M., Torres, A., & Valle, M. A. (1997). Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom) (1997)
Marques, Angelo Eduardo Battistini; Furlan, Rogério
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Angelo Eduardo Battistini e FURLAN, Rogério. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Marques, A. E. B., & Furlan, R. (1997). Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Marques AEB, Furlan R. Sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom) (1997)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e HASENACK, Claus Martin. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Mechanisms of metal and sulfur contamination on silicon wafer surfaces during HF-last cleanings. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom) (1997)
Prager, O C; Perez Lisboa, Maurício Oscar; Hidalgo, A R; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PRAGER, O C et al. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Prager, O. C., Perez Lisboa, M. O., Hidalgo, A. R., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
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Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Cardoso, A R
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da e CARDOSO, A R. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Silva, M. L. P. da, & Cardoso, A. R. (1997). Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
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Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom) (1997)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Morimoto, Nilton Itiro
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
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Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
Verri, Antônio Sandro; Correra, Fatima Salete
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom) (1997)
Hoashi, P T; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom) (1997)
Massi, Marcos; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MASSI, Marcos et al. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Massi, M., Mansano, R. D., Maciel, H. S., & Verdonck, P. B. (1997). Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Massi M, Mansano RD, Maciel HS, Verdonck PB. Characteristic of silicon etching process in a RIE reactor modified to include a built-in radio frequency excitation coil. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom) (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
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Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom) (1997)
Oka, Mauricio Massazumi; Nakada, A; Tamai, Y; Shibata, T; Ohmi, T
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OKA, Mauricio Massazumi et al. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Oka, M. M., Nakada, A., Tamai, Y., Shibata, T., & Ohmi, T. (1997). Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Processo de deposição por PECVD: influência dos íons (1997)
Cardoso, A R; Silva, Maria Lucia Pereira da
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, A R e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Cardoso, A. R., & Silva, M. L. P. da. (1997). Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom) (1997)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, Homero Santiago. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1997). Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Gutierrez, E A
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio e GUTIERREZ, E A. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., & Gutierrez, E. A. (1997). Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom) (1997)
Torres, Luiz Carlos Molina; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Torres, L. C. M., & Braga, N. L. de A. (1997). On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Ana Neilde Rodrigues da; Silva, Maria Lucia Pereira da
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Silva, A. N. R. da, & Silva, M. L. P. da. (1997). Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva ANR da, Silva MLP da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Silva ANR da, Silva MLP da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom) (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]

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