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Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films (2003)
Boselli, M A; Lima, Ivan Costa da Cunha; Ortiz de Zevallos, Angela M; Pinto, R; Soares, J A N T; Chitta, V A; Leite, J. R.
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
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ABNT
BOSELLI, M A et al. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Ortiz de Zevallos, A. M., Pinto, R., Soares, J. A. N. T., Chitta, V. A., & Leite, J. R. (2003). Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Soares, J A N T; Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Brasil, M J S P; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco-Salazar, D G
Fonte: Paper SC-MoM7. Nome do evento: AVS 50th International Symposium. Unidade: IF
Assuntos: VÁCUO, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. 2003, Anais.. New York: AIP, 2003. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Brasil, M. J. S. P., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. In Paper SC-MoM7. New York: AIP.
NLM
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 out. 08 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 out. 08 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy (1998)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Beliaev, D; Leite, J. R.; Saito, M
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assuntos: ENGENHARIA MECÂNICA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, v. 13, n. 12, p. 1418-1425, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Beliaev, D., Leite, J. R., & Saito, M. (1998). Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, 13( 12), 1418-1425. doi:10.1088/0268-1242/13/12/015
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
Vancouver
Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells (1997)
Soler, M A G; Depeyrot, J; Morais, P C; Soares, J A N T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Enderlein, R; Weimann, G; Trankle, G
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
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ABNT
SOLER, M A G et al. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 21, n. 4, p. 581-585, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soler, M. A. G., Depeyrot, J., Morais, P. C., Soares, J. A. N. T., Scólfaro, L. M. R., Silva, E. C. F. da, et al. (1997). Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, 21( 4), 581-585. doi:10.1006/spmi.1996.0206
NLM
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Vancouver
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts (1996)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Leite, J. R.; Saito, M
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Leite, J. R., & Saito, M. (1996). Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 08 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Saito, M; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 267-72, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Saito, M., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, 35, 267-72. doi:10.1016/0921-5107(95)01340-7
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres (1995)
Soares, J A N T; Beliaev, D; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science and Engeneering B. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 out. 2024. , 1995
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres. Materials Science and Engeneering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2024 out. 08 ]
Artigo de periodico
Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures (1995)
Enderlein, R; Beliaev, D; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, v. 52, p. 2814-22, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Enderlein, R., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1995). Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Physical Review B, 52, 2814-22. doi:10.1103/physrevb.52.2814
NLM
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Vancouver
Enderlein R, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Leite JR. Method for calculating photo - and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures [Internet]. Physical Review B. 1995 ;52 2814-22.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.52.2814
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Leite, J. R.; Saito, M
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Leite, J. R., & Saito, M. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as' (1994)
Lima, A. P.; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Lima, A. P., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., & Leite, J. R. (1994). Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima AP, Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Leite JR. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Lima AP, Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Leite JR. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. Resumos. 1994 ;[citado 2024 out. 08 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A
Fonte: Superlattices and Microstrutuctures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, v. 15, n. 3 , p. 333-7, 1994Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, 15( 3 ), 333-7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Artigo de periodico
Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method (1994)
Beliaev, D; Enderlein, R; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2024 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, E C F; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Menezes, E A
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 08 out. 2024. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2024 out. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 08 out. 2024.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Lima, A. P., & Leite, J. R. (1994). Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2024 out. 08 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2024 out. 08 ]

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