Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: FÍSICA; ESTRUTURA ELETRÔNICA; MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Book of Abstracts
- Conference titles: International Meeting on Applied Physics
-
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS. -
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
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