Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films (2003)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATERIAIS; MATÉRIA CONDENSADA; FILMES FINOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBPMat
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2003
- Source:
- Título: Programa e Livro de Resumos
- Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais
-
ABNT
BOSELLI, M A et al. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 09 nov. 2024. -
APA
Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Ortiz de Zevallos, A. M., Pinto, R., Soares, J. A. N. T., Chitta, V. A., & Leite, J. R. (2003). Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat. -
NLM
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 09 ] -
Vancouver
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 09 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
