Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio (1986)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1986
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. 1986, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1986. . Acesso em: 14 out. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 14 ] -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Programa e Resumos. 1986 ;[citado 2024 out. 14 ] - Current research on semiconductor physics
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