Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
- Authors:
- Fernandez, J R L - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Noriega, O C
- Soares, J A N T
- Cerdeira, F - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Meneses, E A - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Leite, J. R.
- As, D J - Universität Paderborn (UP)
- Schikora, D - Universität Paderborn (UP)
- Lischka, K - Universität Paderborn (UP)
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0038-1098(02)00768-8
- Subjects: FILMES FINOS; ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- ISSN: 0038-1098
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 01 out. 2024. -
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8 -
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8 -
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1098(02)00768-8 (Fonte: oaDOI API)
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