Photoreflectance investigations of semiconductor device structures (1995)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0921-5107(95)01340-7
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Science & Engineering B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.35, p.267-72, 1995
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 267-72, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7. Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Soares, J. A. N. T., Beliaev, D., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Saito, M., & Leite, J. R. (1995). Photoreflectance investigations of semiconductor device structures. Materials Science & Engineering B, 35, 267-72. doi:10.1016/0921-5107(95)01340-7 -
NLM
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7 -
Vancouver
Soares JANT, Beliaev D, Enderlein R, Scolfaro LMR, Saito M, Leite JR. Photoreflectance investigations of semiconductor device structures [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 267-72.[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(95)01340-7 - Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0921-5107(95)01340-7 (Fonte: oaDOI API)
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