Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS' (1994)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: International Journal of Quantum Chemistry
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.s28, p.667-73, 1994
-
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, v. s28, p. 667-73, 1994Tradução . . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Takahashi, E., & Leite, J. R. (1994). Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry, s28, 667-73. -
NLM
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Lino AT, Takahashi E, Leite JR. Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'. International Journal of Quantum Chemistry. 1994 ;s28 667-73.[citado 2024 abr. 26 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
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