Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
- Authors:
- Fernandez, J R L - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Noriega, O C
- Soares, J A N T
- Tabata, A - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP)
- Rodrigues, S C P
- Cerdeira, F - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Meneses, E A - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
- Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
- Leite, J. R.
- As, Donat Joseph - Universität Paderborn (UP)
- Lischka, K - Universität Paderborn (UP)
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Book of Abstract
- Volume/Número/Paginação/Ano: Fortaleza : DF/UFC, 2003
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
-
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 09 jan. 2026. -
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC. -
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2026 jan. 09 ] -
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2026 jan. 09 ] - Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge
- I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices
- Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores
- Photoreflectance investigations of semiconductor device structutres
- Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
- Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN
- First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys
- Photoreflectance investigations of semiconductor device structures
- First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN
- Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas