Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge (1991)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0038-1098(91)90909-f
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.79, p.557, 1991
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P e SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge. Solid State Communications, v. 79, p. 557, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f. Acesso em: 11 jan. 2026. -
APA
Castineira, J. L. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1991). Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge. Solid State Communications, 79, 557. doi:10.1016/0038-1098(91)90909-f -
NLM
Castineira JLP, Scolfaro LMR, Leite JR. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;79 557.[citado 2026 jan. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f -
Vancouver
Castineira JLP, Scolfaro LMR, Leite JR. Impurity levels of substitutional chalcogens-doped ge [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;79 557.[citado 2026 jan. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90909-f - I-V and C-V characteristics of high-k dielectrics based MOS devices
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0038-1098(91)90909-f (Fonte: oaDOI API)
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