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  • Artigo de periodico

    Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)

    Pusep, Yuri A.; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097

    • NLM

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097

    • Vancouver

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices (1999)

    Petitprez, Emmanuel; Moshegov, N. T.; Marega Júnior, Euclydes; Basmaji, Pierre; Mazel, A.; Dorignac, D.; Formeaux, R.

    Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      PETITPREZ, Emmanuel et al. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. . São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 29 ago. 2024. , 1999

    • APA

      Petitprez, E., Moshegov, N. T., Marega Júnior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Formeaux, R. (1999). Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947

    • NLM

      Petitprez E, Moshegov NT, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices [Internet]. 1999 ; 29( 4): 738-741.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947

    • Vancouver

      Petitprez E, Moshegov NT, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices [Internet]. 1999 ; 29( 4): 738-741.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947

  • Relatorio tecnico

    Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas (1999)

    Basmaji, Pierre; Gusev, Guennadii Michailovich; Gonzales-Borrero, Pedro P; Lubyshev, D I; Silva, M P A da; La Scala Junior, N; Maude, D K; Portal, J C

    Unidades: IFSC, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      BASMAJI, Pierre et al. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf. Acesso em: 29 ago. 2024. , 1999

    • APA

      Basmaji, P., Gusev, G. M., Gonzales-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Silva, M. P. A. da, La Scala Junior, N., et al. (1999). Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf

    • NLM

      Basmaji P, Gusev GM, Gonzales-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, La Scala Junior N, Maude DK, Portal JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas [Internet]. 1999 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf

    • Vancouver

      Basmaji P, Gusev GM, Gonzales-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, La Scala Junior N, Maude DK, Portal JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas [Internet]. 1999 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices (1999)

    Petitprez, Emmanuel; Moshegov, N. T.; Marega Júnior, Euclydes; Basmaji, Pierre; Mazel, A.; Dorignac, D.; Formeaux, R.

    Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    How to cite
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    • ABNT

      PETITPREZ, Emmanuel et al. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. 1999, Anais.. Belo Horizonte: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1999. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Petitprez, E., Moshegov, N. T., Marega Júnior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Formeaux, R. (1999). Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. In Program and abstracts. Belo Horizonte: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Petitprez E, Moshegov NT, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. Program and abstracts. 1999 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Petitprez E, Moshegov NT, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. Program and abstracts. 1999 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1999)

    Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Moshegov, N T; Toropov, A I; Basmaji, Pierre; Galzerani, J C

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZANELATTO, G et al. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 8, p. 4387-4389, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.371375. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Moshegov, N. T., Toropov, A. I., Basmaji, P., & Galzerani, J. C. (1999). Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, 86( 8), 4387-4389. doi:10.1063/1.371375

    • NLM

      Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375

    • Vancouver

      Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375

  • Trabalho de evento-resumo

    Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM) (1998)

    Rodrigues, Sergio Gasques; Petitprez, Emmanuel; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Marega Júnior, Euclydes

    Conference titles: Simpósio sobre Ciência e Engenharia de Materiais no Mercosul. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      RODRIGUES, Sergio Gasques et al. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998, Anais.. São Carlos: Universidade Federal de São Carlos, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. G., Petitprez, E., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Marega Júnior, E. (1998). Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). In . São Carlos: Universidade Federal de São Carlos.

    • NLM

      Rodrigues SG, Petitprez E, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Rodrigues SG, Petitprez E, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações (1998)

    Alves, Marcus Vinicius; Rodrigues, Sérgio Gasques; Basmaji, Pierre; Marega Júnior, Euclydes

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ALVES, Marcus Vinicius et al. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Alves, M. V., Rodrigues, S. G., Basmaji, P., & Marega Júnior, E. (1998). Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Alves MV, Rodrigues SG, Basmaji P, Marega Júnior E. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Alves MV, Rodrigues SG, Basmaji P, Marega Júnior E. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Tese (Doutorado)

    Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (1998)

    González-Borrero, Pedro Pablo; Basmaji, Pierre (Orientador)

    Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      González-Borrero, P. P. (1998). Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/

    • NLM

      González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/

    • Vancouver

      González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/

  • Artigo de periodico

    Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates (1998)

    Petitprez, E; González-Borrero, P P; Lubyshev, D I; Marega Júnior, Euclydes; Basmaji, Pierre

    Source: Microlectronic Engineering. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PETITPREZ, E et al. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates. Microlectronic Engineering, v. 43, p. 59-65, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Petitprez, E., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Marega Júnior, E., & Basmaji, P. (1998). Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates. Microlectronic Engineering, 43, 59-65. doi:10.1016/s0167-9317(98)00221-4

    • NLM

      Petitprez E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Basmaji P. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates [Internet]. Microlectronic Engineering. 1998 ; 43 59-65.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4

    • Vancouver

      Petitprez E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Basmaji P. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates [Internet]. Microlectronic Engineering. 1998 ; 43 59-65.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4

  • Artigo de periodico

    Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires (1998)

    Gusev, G M; La Scala, N; Lubyshev, D I; González-Borrero, P P; Silva, M A P; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Portal, J C

    Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, G M et al. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 3, p. 197-291, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., La Scala, N., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Silva, M. A. P., Basmaji, P., et al. (1998). Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, 24( 3), 197-291. doi:10.1006/spmi.1996.0343

    • NLM

      Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343

    • Vancouver

      Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343

  • Trabalho de evento-resumo

    Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE (1998)

    Petitprez, Emmanuel; González-Borrero, P P; Marega Júnior, Euclydes; Basmaji, Pierre; Mazel, A; Dorignac, D; Fourmeaux, R

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PETITPREZ, Emmanuel et al. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Petitprez, E., González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Fourmeaux, R. (1998). Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento

    Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)

    Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; González-Borrero, P P; Basmaji, Pierre

    Conference titles: Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998, Anais.. Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In . Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento

    Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field (1998)

    Nastaushev, Yu V; Gusev, G M; Bykov, A. A.; Lubyshev, D I; Maude, D K; Portal, J C; Gennser, U; Basmaji, Pierre

    Conference titles: International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NASTAUSHEV, Yu V et al. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998, Anais.. Saint Petersburg: Ioffe Institute, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Nastaushev, Y. V., Gusev, G. M., Bykov, A. A., Lubyshev, D. I., Maude, D. K., Portal, J. C., et al. (1998). Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. In . Saint Petersburg: Ioffe Institute.

    • NLM

      Nastaushev YV, Gusev GM, Bykov AA, Lubyshev DI, Maude DK, Portal JC, Gennser U, Basmaji P. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Nastaushev YV, Gusev GM, Bykov AA, Lubyshev DI, Maude DK, Portal JC, Gennser U, Basmaji P. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems (1998)

    Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre

    Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10683-10686, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, 58( 16), 10683-10686. doi:10.1103/physrevb.58.10683

    • NLM

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683

    • Vancouver

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683

  • Artigo de periodico

    Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)

    Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G.; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A. I.; Basmaji, Pierre

    Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770

    • NLM

      Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770

    • Vancouver

      Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770

  • Trabalho de evento-resumo

    Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces (1998)

    Freire, Sergio L S; Lúcio, Aline Duarte; Cury, Luiz Alberto; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
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    • ABNT

      FREIRE, Sergio L S et al. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Freire, S. L. S., Lúcio, A. D., Cury, L. A., Guimarães, F. E. G., Gonzales-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Freire SLS, Lúcio AD, Cury LA, Guimarães FEG, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Freire SLS, Lúcio AD, Cury LA, Guimarães FEG, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos (1998)

    Freitas, Kellis Germano; Moshegov,Nikolay; Basmaji, Pierre; Marega Júnior, Euclydes

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
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    • ABNT

      FREITAS, Kellis Germano et al. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Freitas, K. G., Moshegov, N., Basmaji, P., & Marega Júnior, E. (1998). Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Freitas KG, Moshegov N, Basmaji P, Marega Júnior E. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Freitas KG, Moshegov N, Basmaji P, Marega Júnior E. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)

    Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; Silva, S W; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Toropov, A I

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Toropov, A. I. (1998). Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs (1998)

    Petitprez, Emmanuel; Basmaji, Pierre

    Source: Programa e Resumos. Conference titles: Simpósio Interunidades de Ciência e Engenharia de Materiais. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PETITPREZ, Emmanuel e BASMAJI, Pierre. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. 1998, Anais.. São Carlos: CETEPE, 1998. . Acesso em: 29 ago. 2024.

    • APA

      Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. In Programa e Resumos. São Carlos: CETEPE.

    • NLM

      Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 29 ]

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)

    Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D; Basmaji, Pierre

    Source: Physics of Low-Dimensional Structures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFSC

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 29 ago. 2024. , 1998

    • APA

      Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D., & Basmaji, P. (1998). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 ago. 29 ]

    • Vancouver

      Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 ago. 29 ]

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