Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1999)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.371375
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 1999
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.86, n.8, p.4387-4389, 1999
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ZANELATTO, G et al. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 8, p. 4387-4389, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.371375. Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Moshegov, N. T., Toropov, A. I., Basmaji, P., & Galzerani, J. C. (1999). Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, 86( 8), 4387-4389. doi:10.1063/1.371375 -
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375 -
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375 - Evidence of localized luminescence centers in porous silicon
- Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon
- Ion incorporation and exchange effects in porous silicon
- Optical absorption in porous silicon of high porosity
- Formacao natural de pontos quanticos
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.371375 (Fonte: oaDOI API)
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