Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires (1998)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1006/spmi.1996.0343
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Superlattices and Microstructures
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 24, n. 3, p. 197-291, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GUSEV, G M et al. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 3, p. 197-291, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Gusev, G. M., La Scala, N., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Silva, M. A. P., Basmaji, P., et al. (1998). Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, 24( 3), 197-291. doi:10.1006/spmi.1996.0343 -
NLM
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343 -
Vancouver
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343 - Raman scattering of the optical '('GA''AS') IND. n'/ '('AL''AS') IND. n' superlattices grown on (311)A and (311)B surface
- Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots
- Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures
- Raman study of interface arrangement in 'GA''AS' / 'AL''AS' superlattices grown in different crystal directions
- Propriedades opticas e eletricas de silicio poroso
- Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy
- Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe
- Transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity induced by magnetic field in the array of rings with small diameter
- Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy
Informações sobre o DOI: 10.1006/spmi.1996.0343 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
