Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 15 ago. 2024.APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1997). Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.NLM
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ]Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 15 ]