Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet (1996)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1996). Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro. -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 mar. 29 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
- A novel simple method to extract the effective LDD doping concentration on fully depleted SOI NMOSFET
- The graded-channel SOI NMOSFET and its potential to analog applications
- CPU didática. (também em CD-Rom)
- Optimization of the twin gate SOI MOSFET
- Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
- Improved channel lenght and series resistance extraction for short-channel MOSFETs suffering from mobility degradation
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