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Trabalho de evento
Processo de deposição por PECVD: influência dos íons (1997)
Cardoso, A R; Silva, Maria Lucia Pereira da
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARDOSO, A R e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Cardoso, A. R., & Silva, M. L. P. da. (1997). Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Cardoso AR, Silva MLP da. Processo de deposição por PECVD: influência dos íons. Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom) (1997)
Lopes, M C V; Gejuiba, N; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Hasenack, Claus Martin
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
LOPES, M C V et al. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Lopes, M. C. V., Gejuiba, N., Santos Filho, S. G. dos, & Hasenack, C. M. (1997). Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Lopes MCV, Gejuiba N, Santos Filho SG dos, Hasenack CM. Estudo da quantificação da rugosidade da interface Si-SiO2. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom) (1997)
Prager, O C; Perez Lisboa, Maurício Oscar; Hidalgo, A R; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PRAGER, O C et al. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Prager, O. C., Perez Lisboa, M. O., Hidalgo, A. R., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Prager OC, Perez Lisboa MO, Hidalgo AR, Ramírez Fernandez FJ. MOSFET parameters adaptation for IC design. (CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Cardoso, A R
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da e CARDOSO, A R. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Silva, M. L. P. da, & Cardoso, A. R. (1997). Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR. Análise de óxido de silício: identificação de compostos carbônicos. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
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Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom) (1997)
Verdonck, Patrick Bernard; Mansano, Ronaldo Domingues ; Maciel, Homero Santiago
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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VERDONCK, Patrick Bernard e MANSANO, Ronaldo Domingues e MACIEL, Homero Santiago. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Verdonck, P. B., Mansano, R. D., & Maciel, H. S. (1997). Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Verdonck PB, Mansano RD, Maciel HS. Silicon surface roughness induced by reactive ion etching processes, using a graphite electrode. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
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Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Gutierrez, E A
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio e GUTIERREZ, E A. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., & Gutierrez, E. A. (1997). Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Gutierrez EA. Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
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On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom) (1997)
Torres, Luiz Carlos Molina; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Torres, L. C. M., & Braga, N. L. de A. (1997). On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Ana Neilde Rodrigues da; Silva, Maria Lucia Pereira da
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Silva, A. N. R. da, & Silva, M. L. P. da. (1997). Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Silva ANR da, Silva MLP da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Silva ANR da, Silva MLP da. Estudo da reprodutibilidade do sistema PETEOS utilizando a técnica de espectrometria de massas. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom) (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom) (1997)
Fontes, M B; Santiago-Avilés, Jorge Juan ; Furlan, Rogério
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FONTES, M B e SANTIAGO-AVILÉS, Jorge Juan e FURLAN, Rogério. Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Fontes, M. B., Santiago-Avilés, J. J., & Furlan, R. (1997). Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Fontes MB, Santiago-Avilés JJ, Furlan R. Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Fontes MB, Santiago-Avilés JJ, Furlan R. Development of an electrochemical sensor based on silicon technology. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom) (1997)
Galeazzo, Elisabete ; Beltran, A.; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALEAZZO, Elisabete e BELTRAN, A. e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Galeazzo, E., Beltran, A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Galeazzo E, Beltran A, Ramírez Fernandez FJ. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Galeazzo E, Beltran A, Ramírez Fernandez FJ. The influence of chemical species on photoluminiscence of porous silicon. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom) (1997)
Nakazawa, A M; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAKAZAWA, A M e VERDONCK, Patrick Bernard. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Nakazawa, A. M., & Verdonck, P. B. (1997). Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Nakazawa AM, Verdonck PB. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Nakazawa AM, Verdonck PB. Plasma etching of aluminium using BCl3-Cl2 mixtures. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom) (1997)
Oka, Mauricio Massazumi; Nakada, A; Tamai, Y; Shibata, T; Ohmi, T
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
OKA, Mauricio Massazumi et al. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Oka, M. M., Nakada, A., Tamai, Y., Shibata, T., & Ohmi, T. (1997). Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Oka MM, Nakada A, Tamai Y, Shibata T, Ohmi T. Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lamp irradiation. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom) (1997)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidas por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM) (1997)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Rubim, Joel Camargo ; Matz, M
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidades: EP, IQ
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes et al. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., Rubim, J. C., & Matz, M. (1997). Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Rubim JC, Matz M. Polarization effect on Raman scattering and photoluminescence spectra in porous silicon layer. (em CD-ROM). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom) (1997)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Morimoto, Nilton Itiro
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices application. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom) (1997)
Verri, Antônio Sandro; Correra, Fatima Salete
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERRI, Antônio Sandro e CORRERA, Fatima Salete. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Verri, A. S., & Correra, F. S. (1997). Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Verri AS, Correra FS. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Verri AS, Correra FS. Modelo não-linear de MESFET para simulação de amplificadores de alta-eficiência. (Em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom) (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristics of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Trabalho de evento
Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom) (1997)
Amazonas, José Roberto de Almeida ; Strum, Marius; Vale Neto, José Vieira do; Wang, Jiang Chau ; Rouzeyre, B; Flottes, M L
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida et al. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 25 jan. 2026.
APA
Amazonas, J. R. de A., Strum, M., Vale Neto, J. V. do, Wang, J. C., Rouzeyre, B., & Flottes, M. L. (1997). Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Amazonas JR de A, Strum M, Vale Neto JV do, Wang JC, Rouzeyre B, Flottes ML. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]
Vancouver
Amazonas JR de A, Strum M, Vale Neto JV do, Wang JC, Rouzeyre B, Flottes ML. Built-in self test high level synthesis. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2026 jan. 25 ]

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