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Artigo de jornal
A política industrial e tecnológica de semicondutores (2006)
Swart, Jacobus Willibrordus; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Source: Jornal da USP. Unidade: EP
Subjects: POLÍTICA INDUSTRIAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SWART, Jacobus Willibrordus e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. A política industrial e tecnológica de semicondutores. Tradução . Jornal da USP, São Paulo, 2006. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Swart, J. W., & Van Noije, W. A. M. (2006). A política industrial e tecnológica de semicondutores. Jornal da USP. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Swart JW, Van Noije WAM. A política industrial e tecnológica de semicondutores. Jornal da USP. 2006 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Swart JW, Van Noije WAM. A política industrial e tecnológica de semicondutores. Jornal da USP. 2006 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Monografia/livro-ed/org
Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005 (2005)
Claeys, Cor (Editor) ; Swart, Jacobus Willibrordus (Editor); Morimoto, Nilton Itiro (Editor) ; Verdonck, Patrick Bernard (Editor)
Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices, SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. . Pennington: The Electrochemical Society. . Acesso em: 01 jul. 2025. , 2005
APA
Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. (2005). Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Parte de monografia/livro
Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications (2002)
Santos, R.E.; Doi, Ioshiaki; Diniz, J. A.; Swart, Jacobus Willibrordus; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, R.E. et al. Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Santos, R. E., Doi, I., Diniz, J. A., Swart, J. W., & Santos Filho, S. G. dos. (2002). Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Santos RE, Doi I, Diniz JA, Swart JW, Santos Filho SG dos. Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Santos RE, Doi I, Diniz JA, Swart JW, Santos Filho SG dos. Formation and characterization of the Ni(Pt)Si and NiSi for MOS devices applications. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 jul. 01 ]
Parte de monografia/livro
Formation of nickel monosilicide onto (100) silicon wafer surfaces (2002)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Laganá, Armando Antonio Maria ; Doi, Ioshiaki; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
REIS, Ronaldo Willian et al. Formation of nickel monosilicide onto (100) silicon wafer surfaces. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Reis, R. W., Santos Filho, S. G. dos, Laganá, A. A. M., Doi, I., & Swart, J. W. (2002). Formation of nickel monosilicide onto (100) silicon wafer surfaces. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Reis RW, Santos Filho SG dos, Laganá AAM, Doi I, Swart JW. Formation of nickel monosilicide onto (100) silicon wafer surfaces. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Reis RW, Santos Filho SG dos, Laganá AAM, Doi I, Swart JW. Formation of nickel monosilicide onto (100) silicon wafer surfaces. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Initiatives for promotion of microelectronics and microfabrication at Sao Paulo State University - Brazil (2001)
Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria ; Swart, Jacobus Willibrordus; Seabra, Antonio Carlos ; Verdonck, Patrick Bernard; Zambom, Luís da Silva ; Diniz, J. A.; Doi, Ioshiaki; Zakia, Maria José Brito; Mansano, Ronaldo Domingues ; Moreira, L.
Source: Proceedings. Conference titles: Biennial IEEE University/Government/Industry Microelectronics Symposium. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria et al. Initiatives for promotion of microelectronics and microfabrication at Sao Paulo State University - Brazil. 2001, Anais.. Piscataway: IEEE, 2001. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Van Noije, W. A. M., Swart, J. W., Seabra, A. C., Verdonck, P. B., Zambom, L. da S., Diniz, J. A., et al. (2001). Initiatives for promotion of microelectronics and microfabrication at Sao Paulo State University - Brazil. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Van Noije WAM, Swart JW, Seabra AC, Verdonck PB, Zambom L da S, Diniz JA, Doi I, Zakia MJB, Mansano RD, Moreira L. Initiatives for promotion of microelectronics and microfabrication at Sao Paulo State University - Brazil. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Van Noije WAM, Swart JW, Seabra AC, Verdonck PB, Zambom L da S, Diniz JA, Doi I, Zakia MJB, Mansano RD, Moreira L. Initiatives for promotion of microelectronics and microfabrication at Sao Paulo State University - Brazil. Proceedings. 2001 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies (1996)
Dietrich, Alvaro Batista; Verdonck, Patrick Bernard; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
DIETRICH, Alvaro Batista e VERDONCK, Patrick Bernard e SWART, Jacobus Willibrordus. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Dietrich, A. B., Verdonck, P. B., & Swart, J. W. (1996). Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Dietrich AB, Verdonck PB, Swart JW. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Dietrich AB, Verdonck PB, Swart JW. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd (1994)
Bonfim, M J C; Okura, J H; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BONFIM, M J C e OKURA, J H e SWART, Jacobus Willibrordus. Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Bonfim, M. J. C., Okura, J. H., & Swart, J. W. (1994). Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Bonfim MJC, Okura JH, Swart JW. Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd. Anais. 1994 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Bonfim MJC, Okura JH, Swart JW. Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd. Anais. 1994 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido (1993)
Hernandes, C S; Swart, Jacobus Willibrordus; Schacham, Y D
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
HERNANDES, C S e SWART, Jacobus Willibrordus e SCHACHAM, Y D. Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Hernandes, C. S., Swart, J. W., & Schacham, Y. D. (1993). Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Hernandes CS, Swart JW, Schacham YD. Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Hernandes CS, Swart JW, Schacham YD. Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms (1993)
Verndonck, P B; De Geyter, P; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VERNDONCK, P B e DE GEYTER, P e SWART, Jacobus Willibrordus. Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Verndonck, P. B., De Geyter, P., & Swart, J. W. (1993). Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Verndonck PB, De Geyter P, Swart JW. Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Verndonck PB, De Geyter P, Swart JW. Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Estudo da influencia da taxa de subida de temperatura sobre a rugosidade do siliceto de titanio formado por rtp (1993)
Laganá, Armando Antonio Maria ; Valente, M C; Pedrine, A G; Souza Filho, J C; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LAGANÁ, Armando Antonio Maria et al. Estudo da influencia da taxa de subida de temperatura sobre a rugosidade do siliceto de titanio formado por rtp. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Laganá, A. A. M., Valente, M. C., Pedrine, A. G., Souza Filho, J. C., & Swart, J. W. (1993). Estudo da influencia da taxa de subida de temperatura sobre a rugosidade do siliceto de titanio formado por rtp. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Laganá AAM, Valente MC, Pedrine AG, Souza Filho JC, Swart JW. Estudo da influencia da taxa de subida de temperatura sobre a rugosidade do siliceto de titanio formado por rtp. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Laganá AAM, Valente MC, Pedrine AG, Souza Filho JC, Swart JW. Estudo da influencia da taxa de subida de temperatura sobre a rugosidade do siliceto de titanio formado por rtp. Anais. 1993 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd (1992)
Silva, Maria Lucia Pereira da; Shibata, Newton Yoshiyuki; Escote, Adolfo Tsuyama; Matsumura, W T; Oliveira, Elisabeth de; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicacoes de Vacuo Na Industria e Na Ciencia. Unidades: IQ, EP
Assunto: VÁCUO (APLICAÇÕES INDUSTRIAIS)
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da et al. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Silva, M. L. P. da, Shibata, N. Y., Escote, A. T., Matsumura, W. T., Oliveira, E. de, & Swart, J. W. (1992). Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. In Resumos. Campinas: Unicamp.
NLM
Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Oliveira E de, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. Resumos. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Oliveira E de, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema integrado multicamara para a deposicao de 'SI''O IND.2' dopados ou nao com boro e / ou fosforo por r / pecvd. Resumos. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio (1992)
Morimoto, Nilton Itiro ; Cardoso, A R; Silva, Maria Lucia Pereira da; Shibata, Newton Yoshiyuki; Escote, Adolfo Tsuyama; Matsumura, W T; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro et al. Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Morimoto, N. I., Cardoso, A. R., Silva, M. L. P. da, Shibata, N. Y., Escote, A. T., Matsumura, W. T., & Swart, J. W. (1992). Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Morimoto NI, Cardoso AR, Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Swart JW. Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Morimoto NI, Cardoso AR, Silva MLP da, Shibata NY, Escote AT, Matsumura WT, Swart JW. Construcao e desenvolvimento de um equipamento integrado para a deposicao de oxidos de silicio. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor (1992)
Verdonck, Patrick Bernard; Degeyter, P; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e DEGEYTER, P e SWART, Jacobus Willibrordus. Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Verdonck, P. B., Degeyter, P., & Swart, J. W. (1992). Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Verdonck PB, Degeyter P, Swart JW. Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Verdonck PB, Degeyter P, Swart JW. Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas (1992)
Verdonck, Patrick Bernard; Brasseur, G; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Resumos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicacoes de Vacuo Na Industria e Na Ciencia. Unidade: EP
Subjects: TUNGSTÊNIO, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERDONCK, Patrick Bernard e BRASSEUR, G e SWART, Jacobus Willibrordus. Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Verdonck, P. B., Brasseur, G., & Swart, J. W. (1992). Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas. In Resumos. Campinas: Unicamp.
NLM
Verdonck PB, Brasseur G, Swart JW. Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas. Resumos. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Verdonck PB, Brasseur G, Swart JW. Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas. Resumos. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas (1992)
Lujan, A S; Chueiri, I; Prince, F C; Tessani, P H; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LUJAN, A S et al. Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Lujan, A. S., Chueiri, I., Prince, F. C., Tessani, P. H., & Swart, J. W. (1992). Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Lujan AS, Chueiri I, Prince FC, Tessani PH, Swart JW. Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Lujan AS, Chueiri I, Prince FC, Tessani PH, Swart JW. Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet (1992)
Favoretto, M; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. 1992, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1992). Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Favoretto M, Swart JW. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS' (1992)
Favoretto, M; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1992). Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.
NLM
Favoretto M, Swart JW. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Trabalho de evento
Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd (1992)
Bonfim, M C; Prado, R C; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONFIM, M C e PRADO, R C e SWART, Jacobus Willibrordus. Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Bonfim, M. C., Prado, R. C., & Swart, J. W. (1992). Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Bonfim MC, Prado RC, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Bonfim MC, Prado RC, Swart JW. Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd. Anais. 1992 ;[citado 2025 jul. 01 ]
Artigo de periodico
Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure (1991)
Furlan, Rogério ; Van der Spiegel, J; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURLAN, Rogério e VAN DER SPIEGEL, J e SWART, Jacobus Willibrordus. Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure. Journal of the Electrochemical Society, v. 138, n. 8 , p. 2377-81, 1991Tradução . . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Furlan, R., Van der Spiegel, J., & Swart, J. W. (1991). Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure. Journal of the Electrochemical Society, 138( 8 ), 2377-81.
NLM
Furlan R, Van der Spiegel J, Swart JW. Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 8 ): 2377-81.[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Furlan R, Van der Spiegel J, Swart JW. Study of the thermal stability of the al / tiw / tisi2 / si structure. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 8 ): 2377-81.[citado 2025 jul. 01 ]
Artigo de periodico
Influence of impurities on cobalt silicide formation (1991)
Freitas, W; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Journal of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, W e SWART, Jacobus Willibrordus. Influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society, v. 138, n. 10, p. 3067-70, 1991Tradução . . Acesso em: 01 jul. 2025.
APA
Freitas, W., & Swart, J. W. (1991). Influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society, 138( 10), 3067-70.
NLM
Freitas W, Swart JW. Influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 10): 3067-70.[citado 2025 jul. 01 ]
Vancouver
Freitas W, Swart JW. Influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 10): 3067-70.[citado 2025 jul. 01 ]

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