Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP ; VERDONCK, PATRICK BERNARD - EP ; DIETRICH, ALVARO BATISTA - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
DIETRICH, Alvaro Batista e VERDONCK, Patrick Bernard e SWART, Jacobus Willibrordus. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Dietrich, A. B., Verdonck, P. B., & Swart, J. W. (1996). Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro. -
NLM
Dietrich AB, Verdonck PB, Swart JW. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Dietrich AB, Verdonck PB, Swart JW. Development of spacer etching processes for 'GA''AS' ic technologies. Proceedings. 1996 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Analysis of the etching mechanisms of tungsten in fluorine containing plasmas
- Chemical etching of tungsten with nf3 - 02 plasmas
- Actionometry and its applications on polysilicon etching in a magnetically confined reactor
- Design and processing of hbts
- Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido
- Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'
- Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica
- Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
- Decapagem de fotorresiste por plasma de 02 e sf6 e a sua aplicacao no processo de fabricacao de air bridge
- Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
