Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica (1994)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Ufrj
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 1994
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1994). Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj. -
NLM
Favoretto M, Swart JW. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. Anais. 1994 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. Anais. 1994 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Design and processing of hbts
- Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido
- Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'
- Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
- Decapagem de fotorresiste por plasma de 02 e sf6 e a sua aplicacao no processo de fabricacao de air bridge
- Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas
- Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms
- BCCD: estudo teórico-experimental e desenvolvimento de um processo de fabricação
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
- Caracterização de filmes finos empregando a técnica de difração de raio-x
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas