The influence of impurities on cobalt silicide formation (1991)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Journal of the Electrochemical Society
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.138, n.10, p.3067-70, oct. 1991
-
ABNT
FREITAS, W e SWART, Jacobus Willibrordus. The influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society, v. 138, n. 10, p. 3067-70, 1991Tradução . . Acesso em: 16 mar. 2026. -
APA
Freitas, W., & Swart, J. W. (1991). The influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society, 138( 10), 3067-70. -
NLM
Freitas W, Swart JW. The influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 10): 3067-70.[citado 2026 mar. 16 ] -
Vancouver
Freitas W, Swart JW. The influence of impurities on cobalt silicide formation. Journal of the Electrochemical Society. 1991 ;138( 10): 3067-70.[citado 2026 mar. 16 ] - Design and processing of hbts
- Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido
- Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'
- Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica
- Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
- Decapagem de fotorresiste por plasma de 02 e sf6 e a sua aplicacao no processo de fabricacao de air bridge
- Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas
- Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms
- BCCD: estudo teórico-experimental e desenvolvimento de um processo de fabricação
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
