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Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2024)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Sautter, K E; Vallejo, K D; Simmonds, P J; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, v. 374, 2024Tradução . . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Sautter, K. E., Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2024). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, 374. doi:10.1016/j.sna.2024.115464
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Lima, Marcelo Delmondes de; Jacobsen, Gabriel Marques ; Huang, T Y; Yang, Y C; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Goldman, R S; Teodoro, M D; Quivy, Alain André
Fonte: Solar Energy Materials and Solar Cells. Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 254, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Lima, M. D. de, Jacobsen, G. M., Huang, T. Y., Yang, Y. C., et al. (2023). Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, 254. doi:10.1016/j.solmat.2023.112281
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assuntos: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Trabalho de evento
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction (2022)
Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Vallejo, Kevin. D; Simmonds, Paul J; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2022). Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assuntos: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Trabalho de evento
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando; Alzeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Artigo de periodico
Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots (2022)
Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Alzeidan, Ahmad ; Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul M
Fonte: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, Raja Sekhar Reddy et al. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, v. 6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Gajjela, R. S. R., Alzeidan, A., Curbelo, V. M. O., Quivy, A. A., & koenraad, P. M. (2022). Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, 6. doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
NLM
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Vancouver
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Artigo de periodico
Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2022)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Alzeidan, Ahmad ; Jacobsen, G M ; Santos, Thales Borrely dos ; Teodoro, M D ; Quivy, Alain André
Fonte: Micro and Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, v. 172, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Santos, T. B. dos, Teodoro, M. D., & Quivy, A. A. (2022). Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, 172. doi:10.1016/j.micrna.2022.207449
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Trabalho de evento-anais periodico
Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles (2022)
Pereira, M S; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Physics: Conference Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, M S et al. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050. Acesso em: 25 set. 2024. , 2022
APA
Pereira, M. S., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G. P. N., & Quivy, A. A. (2022). Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012050
NLM
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Vancouver
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Trabalho de evento-resumo
IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Fonte: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Trabalho de evento-resumo
Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots (2020)
Cantalice, Tiago Fernandes de; Al-Zeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de e AL-ZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de, Al-Zeidan, A., & Quivy, A. A. (2020). Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
NLM
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Vancouver
Cantalice TF de, Al-Zeidan A, Quivy AA. Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0852-1.pdf
Artigo de periodico
Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer (2020)
Santos, Tiago G.; Vieira, Gustavo S.; Delfino, Cristian A.; Tanaka, Roberto Y.; Abe, Nancy M.; Passaro, Angelo; Fernandes, Fernando M.; Quivy, Alain A.
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTIVIDADE, FÍSICA MODERNA, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Tiago G. et al. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, v. 301, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Santos, T. G., Vieira, G. S., Delfino, C. A., Tanaka, R. Y., Abe, N. M., Passaro, A., et al. (2020). Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, 301. doi:10.1016/j.sna.2019.111725
NLM
Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725
Vancouver
Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725
Relatorio tecnico
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
Gajjela, R.S.R. ; Hendriks, A. L.; Koenraad, P M; Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA MODERNA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, SUPERFÍCIES, ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO), ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf. Acesso em: 25 set. 2024. , 2020
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Koenraad, P. M., Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM, Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2008.11711.pdf
Trabalho de evento-resumo
The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells (2020)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Fernandes, Paulo Henrique Diniz; Al-Zeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Fernandes, P. H. D., Al-Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Relatorio tecnico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2020)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz ; Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André ; Abramof, E
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 25 set. 2024. , 2020
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 25 set. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf

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