Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; AL ZEIDAN, AHMAD - IF ; CURBELO, VICTOR MANUEL ORLANDO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
- Assunto: MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: American Physical Society
- Publisher place: New York
- Date published: 2022
- Source:
- Título: Physical Review Materials
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 6, 114604, 2022
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
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-
ABNT
GAJJELA, Raja Sekhar Reddy et al. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, v. 6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604. Acesso em: 07 abr. 2026. -
APA
Gajjela, R. S. R., Alzeidan, A., Curbelo, V. M. O., Quivy, A. A., & koenraad, P. M. (2022). Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, 6. doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.114604 -
NLM
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2026 abr. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604 -
Vancouver
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2026 abr. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604 - IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY
- Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy
- Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers
- Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors
- Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
- Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells
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| Tipo | Nome | Link | |
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PhysRevMaterials.6.114604... | Direct link |
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