Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.sna.2021.113357
- Subjects: FÍSICA MODERNA; NANOTECNOLOGIA; MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA; RADIAÇÃO INFRAVERMELHA; FOTODETECTORES
- Keywords: Submonolayer quantum dots; Infrared photodetector; Segregation; InAs; Scanning tunneling microscopy; Molecular beam epitaxy
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Sensors and Actuators A: Physical
- ISSN: 0924-4247
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 334, fevereiro de 2022, número do artigo: 113357
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
- Licença: other-oa
-
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 27 set. 2024. -
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357 -
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357 -
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357 - High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction
- Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sna.2021.113357 (Fonte: oaDOI API)
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Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0924424721008207-... | Direct link |
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