In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2019)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; URAHATA, SÉRGIO MINORU - IF ; CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - ICMC
- Unidades: IF; ICMC
- DOI: 10.1088/2053-1591/ab55a8
- Assunto: ELÉTRONS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Research Express
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.6 p. 126205(6), 2019
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, v. 6 p. 126205(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Urahata, S. M., & Quivy, A. A. (2019). In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, 6 p. 126205(6). doi:10.1088/2053-1591/ab55a8 -
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8 -
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2025 dez. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8 - High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
- Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction
- Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
- Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
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- INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
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Informações sobre o DOI: 10.1088/2053-1591/ab55a8 (Fonte: oaDOI API)
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