In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2019)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; URAHATA, SÉRGIO MINORU - IF ; CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - ICMC
- Unidades: IF; ICMC
- DOI: 10.1088/2053-1591/ab55a8
- Assunto: ELÉTRONS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Research Express
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.6 p. 126205(6), 2019
- Status:
- Artigo possui acesso gratuito no site do editor (Bronze Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, v. 6 p. 126205(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8. Acesso em: 03 abr. 2026. -
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Urahata, S. M., & Quivy, A. A. (2019). In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Materials Research Express, 6 p. 126205(6). doi:10.1088/2053-1591/ab55a8 -
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2026 abr. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8 -
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Urahata SM, Quivy AA. In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Materials Research Express. 2019 ;6 p. 126205(6)[citado 2026 abr. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab55a8 - Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation
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