Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots (2020)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; CANTALICE, TIAGO FERNANDES DE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.4.114601
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; FÍSICA MODERNA; MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA; SUPERFÍCIES; ÍNDIO (ELEMENTO QUÍMICO); ARSÊNIO
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Physical Review Materials
- ISSN: 2475-9953
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 4, n. 11, 05 novembo 2020, Número do artigo: 114601
- Status:
- Artigo possui acesso gratuito no site do editor (Bronze Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
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-
ABNT
GAJJELA, R.S.R. et al. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, v. 4, n. 11, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601. Acesso em: 07 abr. 2026. -
APA
Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Cantalice, T. F., Quivy, A. A., & koenraad, P. (2020). Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots. Physical Review Materials, 4( 11). doi:10.1103/PhysRevMaterials.4.114601 -
NLM
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2026 abr. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601 -
Vancouver
Gajjela RSR, Hendriks AL, Cantalice TF, Quivy AA, koenraad P. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2020 ; 4( 11):[citado 2026 abr. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.4.114601 - INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS
- Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction
- High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Growth of a submonolayer quantum dot infrared photodetector in the presence of a c(4x4) surface reconstruction
- Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
- Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector
- Influence of rapid thermal annealing on Stranski-Krastanov and submonolayer quantum dots
- Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation
- In-situ measurement of indium segregation in InAs/GaAs submonolayer quantum dots
- Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs
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