ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A ; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices (1999)
Petitprez, Emmanuel; Moshegov, N. T.; Marega Junior, Euclydes ; Basmaji, Pierre; Mazel, A.; Dorignac, D.; Formeaux, R.
Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel et al. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. . São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 26 jun. 2025. , 1999
APA
Petitprez, E., Moshegov, N. T., Marega Junior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Formeaux, R. (1999). Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Petitprez E, Moshegov NT, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices [Internet]. 1999 ; 29( 4): 738-741.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Petitprez E, Moshegov NT, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices [Internet]. 1999 ; 29( 4): 738-741.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fbtext?got=last&pid=S0103-97331999000400025&usr=fbpe&lng=en&seq=0103-9733-010&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Relatorio tecnico
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas (1999)
Basmaji, Pierre; Gusev, Guennadii Michailovich; Gonzales-Borrero, Pedro P; Lubyshev, D I; Silva, M P A da; La Scala Junior, N; Maude, D K; Portal, J C
Unidades: IFSC, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf. Acesso em: 26 jun. 2025. , 1999
APA
Basmaji, P., Gusev, G. M., Gonzales-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Silva, M. P. A. da, La Scala Junior, N., et al. (1999). Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf
NLM
Basmaji P, Gusev GM, Gonzales-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, La Scala Junior N, Maude DK, Portal JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas [Internet]. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf
Vancouver
Basmaji P, Gusev GM, Gonzales-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, La Scala Junior N, Maude DK, Portal JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas [Internet]. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1370.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices (1999)
Petitprez, Emmanuel; Moshegov, N. T.; Marega Junior, Euclydes ; Basmaji, Pierre; Mazel, A.; Dorignac, D.; Formeaux, R.
Fonte: Program and abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel et al. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. 1999, Anais.. Belo Horizonte: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1999. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Petitprez, E., Moshegov, N. T., Marega Junior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Formeaux, R. (1999). Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. In Program and abstracts. Belo Horizonte: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Petitprez E, Moshegov NT, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. Program and abstracts. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Petitprez E, Moshegov NT, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Formeaux R. Electronic coupling and thermal relaxation in self-assembled InAs quantum dot superlattices. Program and abstracts. 1999 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1999)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A ; Moshegov, N T; Toropov, A I; Basmaji, Pierre; Galzerani, J C
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 8, p. 4387-4389, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.371375. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Moshegov, N. T., Toropov, A. I., Basmaji, P., & Galzerani, J. C. (1999). Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, 86( 8), 4387-4389. doi:10.1063/1.371375
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Tese (Doutorado)
Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Basmaji, Pierre (Orientador)
Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
González-Borrero, P. P. (1998). Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
NLM
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Vancouver
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Artigo de periodico
Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires (1998)
Gusev, G M; La Scala, N; Lubyshev, D I; González-Borrero, P P; Silva, M A P; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Portal, J C
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 3, p. 197-291, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Gusev, G. M., La Scala, N., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Silva, M. A. P., Basmaji, P., et al. (1998). Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, 24( 3), 197-291. doi:10.1006/spmi.1996.0343
NLM
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343
Vancouver
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343
Artigo de periodico
Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates (1998)
Petitprez, E; González-Borrero, P P; Lubyshev, D I; Marega Junior, Euclydes ; Basmaji, Pierre
Fonte: Microlectronic Engineering. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETITPREZ, E et al. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates. Microlectronic Engineering, v. 43, p. 59-65, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Petitprez, E., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Marega Junior, E., & Basmaji, P. (1998). Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates. Microlectronic Engineering, 43, 59-65. doi:10.1016/s0167-9317(98)00221-4
NLM
Petitprez E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Junior E, Basmaji P. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates [Internet]. Microlectronic Engineering. 1998 ; 43 59-65.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4
Vancouver
Petitprez E, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Junior E, Basmaji P. Optical properties of vertically stacked InAs island layers grown on (311)A/B and (001) GaAs substrates [Internet]. Microlectronic Engineering. 1998 ; 43 59-65.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00221-4
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM) (1998)
Rodrigues, Sergio Gasques; Petitprez, Emmanuel; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Marega Junior, Euclydes
Nome do evento: Simpósio sobre Ciência e Engenharia de Materiais no Mercosul. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Sergio Gasques et al. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998, Anais.. São Carlos: Universidade Federal de São Carlos, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Rodrigues, S. G., Petitprez, E., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Marega Junior, E. (1998). Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). In . São Carlos: Universidade Federal de São Carlos.
NLM
Rodrigues SG, Petitprez E, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Marega Junior E. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Rodrigues SG, Petitprez E, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Marega Junior E. Caracterização de nanoestruturas semicondutoras através de Técnica de Microscopia por Força Atômica (AFM). 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações (1998)
Alves, Marcus Vinicius; Rodrigues, Sérgio Gasques; Basmaji, Pierre; Marega Junior, Euclydes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, Marcus Vinicius et al. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Alves, M. V., Rodrigues, S. G., Basmaji, P., & Marega Junior, E. (1998). Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves MV, Rodrigues SG, Basmaji P, Marega Junior E. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Alves MV, Rodrigues SG, Basmaji P, Marega Junior E. Análise do perfil gerado por ataque químico úmido em filme de GaAs, crescido sobre várias orientações. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento
Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field (1998)
Nastaushev, Yu V; Gusev, G M; Bykov, A. A.; Lubyshev, D I; Maude, D K; Portal, J C; Gennser, U; Basmaji, Pierre
Nome do evento: International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NASTAUSHEV, Yu V et al. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998, Anais.. Saint Petersburg: Ioffe Institute, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Nastaushev, Y. V., Gusev, G. M., Bykov, A. A., Lubyshev, D. I., Maude, D. K., Portal, J. C., et al. (1998). Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. In . Saint Petersburg: Ioffe Institute.
NLM
Nastaushev YV, Gusev GM, Bykov AA, Lubyshev DI, Maude DK, Portal JC, Gennser U, Basmaji P. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Nastaushev YV, Gusev GM, Bykov AA, Lubyshev DI, Maude DK, Portal JC, Gennser U, Basmaji P. Asymmetry of the Hall conductance fluctuations in a random magnetic field. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento
Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Pusep, Yuri A ; Zanelatto, G; Galzerani, J C; González-Borrero, P P; Basmaji, Pierre
Nome do evento: Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998, Anais.. Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In . Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A ; Zanelatto, G.; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A. I.; Basmaji, Pierre
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Artigo de periodico
Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems (1998)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10683-10686, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683. Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, 58( 16), 10683-10686. doi:10.1103/physrevb.58.10683
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2025 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Trabalho de evento-resumo
Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE (1998)
Petitprez, Emmanuel; González-Borrero, P P; Marega Junior, Euclydes ; Basmaji, Pierre; Mazel, A; Dorignac, D; Fourmeaux, R
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel et al. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Petitprez, E., González-Borrero, P. P., Marega Junior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Fourmeaux, R. (1998). Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs (1998)
Petitprez, Emmanuel; Basmaji, Pierre
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Simpósio Interunidades de Ciência e Engenharia de Materiais. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PETITPREZ, Emmanuel e BASMAJI, Pierre. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. 1998, Anais.. São Carlos: CETEPE, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. In Programa e Resumos. São Carlos: CETEPE.
NLM
Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Petitprez E, Basmaji P. Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs. Programa e Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos (1998)
Freitas, Kellis Germano; Moshegov,Nikolay; Basmaji, Pierre; Marega Junior, Euclydes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Kellis Germano et al. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Freitas, K. G., Moshegov, N., Basmaji, P., & Marega Junior, E. (1998). Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Freitas KG, Moshegov N, Basmaji P, Marega Junior E. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Freitas KG, Moshegov N, Basmaji P, Marega Junior E. Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces (1998)
Freire, Sergio L S; Lúcio, Aline Duarte; Cury, Luiz Alberto; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREIRE, Sergio L S et al. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Freire, S. L. S., Lúcio, A. D., Cury, L. A., Guimarães, F. E. G., Gonzales-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Freire SLS, Lúcio AD, Cury LA, Guimarães FEG, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Freire SLS, Lúcio AD, Cury LA, Guimarães FEG, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P. Temperature effects on the optical properties of InGaAs/GaAs single quantum wells grown on high index GaAs substrates with non-abrupt interfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A ; Zanelatto, G; Galzerani, J C; Silva, S W; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Toropov, A I
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 26 jun. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Toropov, A. I. (1998). Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 26 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Tipo de material

Departamento

Autores

Autores USP

Ano de publicação

Assuntos

Título da fonte

Editora

Nome do evento

País de publicação

Afiliação dos autores externos não normalizada