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Artigo de periodico
Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform (2024)
Verona, Bruno Marinaro; Simionato, Eligia; Palomino, Gustavo; Aldaya, Ivan; Penchel, Rafael Abrantes; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato ; Rehder, Gustavo Pamplona
Fonte: IEEE Access. Unidade: EP
Assuntos: WIRELESS, MICROELETRÔNICA, TELECOMUNICAÇÕES, MATRIZES
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ABNT
VERONA, Bruno Marinaro et al. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, v. 12, n. Ja 2024, p. 22132-22143, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Verona, B. M., Simionato, E., Palomino, G., Aldaya, I., Penchel, R. A., Serrano, A. M. da C. L. C., & Rehder, G. P. (2024). Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, 12( Ja 2024), 22132-22143. doi:10.1109/ACCESS.2024.3357078
NLM
Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078
Vancouver
Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078
Trabalho de evento
Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)
Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
NLM
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Vancouver
Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603
Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Trabalho de evento
Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors (2023)
Souto, Rayana Carvalho de Barros; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
NLM
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
Vancouver
Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596
Artigo de periodico
Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications (2022)
Frutuoso, Tadeu M; Lé, João Eduardo Gentil; Berthoud, Yoann; Pinheiro, Julio M; Margalef-Rovira, Marc; Ferrari, Philippe; Rehder, Gustavo Pamplona ; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato
Fonte: IEEE Microwave and Wireless Components Letters. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, ONDAS ELETROMAGNÉTICAS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, TRANSFORMADORES E REATORES
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ABNT
FRUTUOSO, Tadeu M et al. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v. 32, n. 10, p. 1171-1174, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Frutuoso, T. M., Lé, J. E. G., Berthoud, Y., Pinheiro, J. M., Margalef-Rovira, M., Ferrari, P., et al. (2022). Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 32( 10), 1171-1174. doi:10.1109/LMWC.2022.3159096
NLM
Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096
Vancouver
Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096
Trabalho de evento
Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's (2022)
Ribeiro, Arllen D.R.; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Fonte: SBMICRO. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, INOVAÇÕES TECNOLÓGICAS
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R. et al. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Artigo de periodico
Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados (2022)
Mennucci, Marina Martins ; Machado, Tatiana Mallet ; Vivier, Vincent ; Melo, Hercílio Gomes de ; Ferrari, Jean Vicente
Fonte: Revista Matéria. Unidade: EP
Assuntos: FLOTAÇÃO, MINERAIS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
MENNUCCI, Marina Martins et al. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, v. 27, n. artigo e13151, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Mennucci, M. M., Machado, T. M., Vivier, V., Melo, H. G. de, & Ferrari, J. V. (2022). Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, 27( artigo e13151). doi:10.1590/S1517-707620220001.1351
NLM
Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351
Vancouver
Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351
Artigo de periodico
Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation (2020)
Andrade, Marco Aurélio Brizzotti ; Ramos, Tiago S.; Adamowski, Júlio Cezar ; Marzo, Asier
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: ACÚSTICA, ACÚSTICA, MICROELETRÔNICA, DINÂMICA DOS FLUÍDOS COMPUTACIONAL, MÉTODOS NUMÉRICOS EM DINÂMICA DE FLUÍDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Marco Aurélio Brizzotti et al. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, v. 116, n. 5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5138598. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Andrade, M. A. B., Ramos, T. S., Adamowski, J. C., & Marzo, A. (2020). Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation. Applied Physics Letters, 116( 5). doi:10.1063/1.5138598
NLM
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598
Vancouver
Andrade MAB, Ramos TS, Adamowski JC, Marzo A. Contactless pick-and-place of millimetric objects using inverted near-field acoustic levitation [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 5):[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5138598
Artigo de periodico
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Collaert, Nadine ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Fonte: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 64, n. 9, p. 3595-3600, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Collaert, N., Claeys, C., Simoen, E., Vandooren, A., Rooyackers, R., et al. (2017). The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 64( 9), 3595-3600. doi:10.1109/ted.2017.2721110
NLM
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Vancouver
Bordallo CCM, Collaert N, Claeys C, Simoen E, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2017 ; 64( 9): 3595-3600.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2017.2721110
Artigo de periodico
Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Fonte: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Artigo de periodico
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K (2016)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 12, p. 124001, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Vandooren, A., Rooyackers, R., Mols, Y., Alian, A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K. Semiconductor Science and Technology, 31( 12), 124001. doi:10.1088/0268-1242/31/12/124001
NLM
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Vancouver
Bordallo CCM, Vandooren A, Rooyackers R, Mols Y, Alian A, Agopian PGD, Martino JA. Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 12): 124001.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/12/124001
Artigo de periodico
Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Langer, Robert; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, p. 114002 , 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Agopian, P. G. D., Simoen, E., Langer, R., Collaert, N., Thean, A., et al. (2016). Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes. Semiconductor Science and Technology, 31( 11), 114002 . doi:10.1088/0268-1242/31/11/114002
NLM
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Vancouver
Oliveira AV de, Agopian PGD, Simoen E, Langer R, Collaert N, Thean A, Claeys C, Martino JA. Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 11): 114002 .[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/11/114002
Artigo de periodico
Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Thean, Aaron; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Mertens, Hans; Collaert, Nadine
Fonte: ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, v. 66, n. 5, p. 309-314, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Thean, A., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Claeys, C., et al. (2016). Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, 66( 5), 309-314. doi:10.1149/06605.0309ecst
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst
Artigo de periodico
Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Collaert, Nadine ; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, v. 123, p. 124-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Collaert, N., Thean, A., Claeys, C., Simoen, E., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2016). Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures. Solid-State Electronics, 123, 124-129. doi:10.1016/j.sse.2016.05.004
NLM
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Vancouver
Oliveira AV de, Collaert N, Thean A, Claeys C, Simoen E, Agopian PGD, Martino JA. Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 123 124-129.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.004
Artigo de periodico
InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature (2016)
Alian, A; Agopian, Paula Ghedini Der ; Verhulist, A.; Verreck, D.; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Martino, João Antonio ; Alian1, Y. Mols1, C. C. M. Bordallo2, D. Verreck3, A. Verhulst1, A. Vandooren1, R. Rooyackers1, P. G. D. Agopian2,4, J. A. Martino2, A. Thean1,a), D. Lin1, D. Mocuta1, and N. Collaert1
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: EP
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
ALIAN, A et al. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, v. 109, n. 24, p. 243502, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4971830. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Alian, A., Agopian, P. G. D., Verhulist, A., Verreck, D., Bordallo, C. C. M., Martino, J. A., & Alian1, Y. M. 1. (2016). InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature. Applied Physics Letters, 109( 24), 243502. doi:10.1063/1.4971830
NLM
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Vancouver
Alian A, Agopian PGD, Verhulist A, Verreck D, Bordallo CCM, Martino JA, Alian1 YM1. InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature [Internet]. Applied Physics Letters. 2016 ; 109( 24): 243502.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4971830
Artigo de periodico
Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Manini, Matheus Barros; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011
NLM
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Vancouver
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Artigo de periodico
Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Aoulaiche, Marc; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, v. 5, n. 2, p. 69-80, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Aoulaiche, M., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, 5( 2), 69-80. doi:10.3390/jlpea5020069
NLM
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069
Vancouver
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069
Artigo de periodico
In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs (2015)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Souza, Marcio Alves Sodré de; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronic Engineering. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli et al. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, v. 147, n. 1, p. 92-95, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Doria, R. T., Claeys, C., Simoen, E., Souza, M. A. S. de, & Martino, J. A. (2015). In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, 147( 1), 92-95. doi:10.1016/j.mee.2015.04.056
NLM
Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056
Vancouver
Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056
Artigo de periodico
Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs (2015)
Bühler, Rudolf Theoderich; Agopian, Paula Ghedini Der ; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 103, p. 209-215, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Bühler, R. T., Agopian, P. G. D., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, 103, 209-215. doi:10.1016/j.sse.2014.07.010
NLM
Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010
Vancouver
Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010

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