Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; ARAUJO, GUSTAVO VINICIUS DE - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
- Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: [Piscataway, N.J.]
- Date published: 2023
- Source:
- Título: SBMicro
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 13 abr. 2026. -
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575 -
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2026 abr. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575 -
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2026 abr. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575 - Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs
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