Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View (2015)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.3390/jlpea5020069
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 5, n. 2, p. 69-80
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, v. 5, n. 2, p. 69-80, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069. Acesso em: 09 abr. 2026. -
APA
Sasaki, K. R. A., Aoulaiche, M., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, 5( 2), 69-80. doi:10.3390/jlpea5020069 -
NLM
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069 -
Vancouver
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069 - Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
- Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs
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