Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0281ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: bronze
-
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi e ALMEIDA, L. M. e MARTINO, João Antonio. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst. Acesso em: 31 dez. 2025. -
APA
Sasaki, K. R. A., Almeida, L. M., & Martino, J. A. (2012). Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0281ecst -
NLM
Sasaki KRA, Almeida LM, Martino JA. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst -
Vancouver
Sasaki KRA, Almeida LM, Martino JA. Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0281ecst - Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
- Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs
- Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View
- Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell
- Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Study of ISFET for KCl sensing
- Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation
Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0281ecst (Fonte: oaDOI API)
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