Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SONNENBERG, VICTOR - EP ; ITOCAZU, VITOR TATSUO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.29292/jics.v12i2.458
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Journal of Integrated Circuits and Systems
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 12, n. 2, p.101-106, Aug 2016
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458 -
NLM
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458 -
Vancouver
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458 - Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies
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Informações sobre o DOI: 10.29292/jics.v12i2.458 (Fonte: oaDOI API)
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