Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.02.011
- Subjects: SEMICONDUTORES; MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 112, p. 19-23, Oct 2015
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 08 abr. 2026. -
APA
Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011 -
NLM
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011 -
Vancouver
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011 - Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
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