Study of ISFET for KCl sensing (2024)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP ; RANGEL, RICARDO CARDOSO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2024.108974
- Subjects: TRANSISTORES; PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO; SENSORES BIOMÉDICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 219, p. 1-5, article 108974, Sept. 2024
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 09 abr. 2026. -
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974 -
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974 -
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2026 abr. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974 - Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
- Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs
- Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View
- Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM
- ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell
- Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor
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| Tipo | Nome | Link | |
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